四、典型應(yīng)用場(chǎng)景

1. 半導(dǎo)體器件可靠性測(cè)試

• 汽車(chē)電子芯片：在 - 40℃~+125℃下測(cè)試 MCU 的時(shí)鐘穩(wěn)定性（如英飛凌 AURIX 系列芯片需通過(guò) AEC-Q100 認(rèn)證）；

• 功率器件：IGBT 在高溫（+175℃）下的導(dǎo)通電阻變化測(cè)試，評(píng)估熱失控風(fēng)險(xiǎn)。

2. 先進(jìn)材料與器件研發(fā)

• 量子比特芯片：在液氦溫度（-269℃）下測(cè)試超導(dǎo)量子干涉器（SQUID）的量子隧穿效應(yīng)；

• 寬禁帶半導(dǎo)體：SiC MOSFET 在 + 200℃下的擊穿電壓測(cè)試（傳統(tǒng) Si 器件僅能承受 + 150℃）。

3. MEMS 與傳感器測(cè)試

• 壓力傳感器：在 - 20℃~+85℃下校準(zhǔn)溫度漂移系數(shù)（如博世 BMP388 氣壓傳感器需補(bǔ)償溫漂）；

• 紅外探測(cè)器：低溫（-150℃）下降低熱噪聲，提升探測(cè)靈敏度。

五、操作流程與安全規(guī)范

1. 測(cè)試前準(zhǔn)備

• 樣品預(yù)處理：在室溫下固定于樣品臺(tái)，確保熱傳導(dǎo)良好（使用導(dǎo)熱硅脂或夾具）；

• 探針校準(zhǔn)：通過(guò)標(biāo)準(zhǔn)電阻（如 1Ω、100Ω）校準(zhǔn)接觸電阻，避免測(cè)量誤差。

2. 溫控操作要點(diǎn)

• 超過(guò) + 150℃時(shí)需使用隔熱擋板，防止探針支架變形；

• 升溫速率不超過(guò) 10℃/min，避免樣品熱應(yīng)力開(kāi)裂。

• 穿戴防凍手套，避免液氮濺到皮膚（凍傷溫度 <-150℃）；

• 保持腔體通風(fēng)，防止液氮揮發(fā)導(dǎo)致氧氣濃度低于 19.5%（窒息風(fēng)險(xiǎn)）；

• 液氮使用安全：

• 高溫防護(hù)：

3. 數(shù)據(jù)采集與分析

• 溫度系數(shù)（TC）：ΔV/ΔT（如 MOSFET 閾值電壓 TC≈-2.5mV/℃）；

• 熱阻（Rth）：通過(guò)結(jié)溫 - 功耗曲線(xiàn)計(jì)算（如 LED 芯片 Rth<5℃/W）。

• 使用源表（如 Keithley 4200）同步記錄溫度 - 電性能曲線(xiàn)，典型測(cè)試項(xiàng)目：